| Processo: | 16/21402-8 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de janeiro de 2017 |
| Data de Término da vigência: | 23 de janeiro de 2018 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Acordo de Cooperação: | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) |
| Pesquisador responsável: | Abner de Siervo |
| Beneficiário: | Luis Henrique de Lima |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Espectroscopia eletrônica Grafenos |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Dicalcogenetos | Espectroscopia Eletronica | Grafeno | Microscopia STM | superfícies | 2D Materials | Física de Superfícies |
Resumo Recentemente, materiais bidimensionais (2D) tais como grafeno, nitreto de boro hexagonal (h-BN) e dicalcogenetos de metais de transição (TMDs) têm atraído considerável atenção devido suas fascinantes propriedades e enorme potencial para aplicacões tecnológicas. Uma possibilidade interessante é o design de heteroestruturas a partir do empilhamento de diferentes camadas de materiais 2D, com estes novos materiais podendo apresentar propriedades distintas. Neste projeto propomos o crescimento de monocamadas de dicalcogenetos de metais de transição, em particular MoSe2 e HfSe2, sobre grafeno e h-BN suportados na superfície do Ni(111). O objetivo é obter os parâmetros que permitam o crescimento controlado (camada-por-camada) de filmes ultrafinos de alta qualidade, que serão caracterizados in situ quanto a sua estrutura atômica e eletrônica por múltiplas técnicas experimentais. Será investigada também a influência dos diferentes substratos (grafeno e h-BN) nas propriedades eletrônicas/estruturais dos filmes ultrafinos de TMDs. A obtenção de heteroestruturas de materiais 2D com controle do número e orientação das monocamadas representa atualmente um importante desafio tecnológico, que é essencial para pretensões futuras de aplicações destes materiais em dispositivos nano/optoeletrônicos. (AU) | |
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