| Processo: | 18/08543-7 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de outubro de 2018 |
| Data de Término da vigência: | 31 de julho de 2022 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Luiz Fernando Zagonel |
| Beneficiário: | Ricardo Javier Peña Román |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 14/23399-9 - Heteroestruturas em nanofios semicondutores: emissores de luz nanométricos estudados por microscopia de varredura de tunelamento, AP.JP |
| Bolsa(s) vinculada(s): | 20/12480-0 - Emissão de fótons individuais a partir de defeitos pontuais e hot spots induzidos pelo substrato em semicondutores bidimensionais: um estudo via luminescência induzida em microscopia de varredura de tunelamento, BE.EP.DR |
| Assunto(s): | Materiais nanoestruturados Propriedades eletrônicas Propriedades ópticas Luminescência Microscopia eletrônica de transmissão Microscopia eletrônica de varredura Microscopia de tunelamento Ensaios de defeitos |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | defeitos pontuais | materiais 2D | microscopia | Otica | nano-ótica |
Resumo Neste projeto desejamos estudar defeitos individuais em nanoestruturas bidimensionais e as propriedades eletrônicas e óticas desses defeitos. De fato, defeitos pontuais (vacâncias, átomos substitucionais e associações) têm profundos efeitos na luminescência de nitreto de boro hexagonal (hBN) e alguns calcogenos de metais de transição (TMDs), como MoS2 e WSe2. Nesses materiais defeitos pontuais podem ser fontes de fótons únicos (SPE), podem aumentar a eficiência quântica ou mudar as energias de emissão. Apesar de todo o interesse tecnológico e científico, muitas questões permanecem em aberto com relação ao papel de cada tipo de defeito e como controlar a densidade para se obter as propriedades desejadas. Para isso, planejamos gerar defeitos de forma controlada através de feixes de íons de baixa energia (~150 eV) e estudar a morfologia, estrutura eletrônica e emissão de luz através de técnicas de microscopia de alta resolução adaptadas aos estudos de ótica, que são Catodoluminescência em Microscopia Eletrônica de Transmissão em modo Varredura (CL-STEM) e Luminescência em Microscopia de Varredura de Tunelamento. Essa metodologia permitirá o rápido avanço na compreensão de defeitos individuais e dessa fronteira do conhecimento. (AU) | |
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