Aplicações e desenvolvimentos da difração de raios-X em semicondutores

Resumo

Neste projeto de pesquisa está sendo solicitado, na categoria Auxílio à Pesquisa, fomento para uni goniômetro destinado a experimentas de Difração de Raios X em Semicondutores. Isto no Laboratório de Cristalografia do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (USP). Esse equipamento permitirá dar continuidade a linha de pesquisa voltada ao desenvolvimento, fundamentação e aplicação de técnicas não convencionais, derivadas do fenômeno da dilatação múltipla de raios X. Muito além de ser uma mera curiosidade de laboratório, a investigação desse fenômeno tem gerado trabalhos originais e importantes [1-6]*, relacionados ao estudo de superfícies e interfaces semicondutoras. Tal equipamento também auxiliará outros grupos e laboratórios do IFUSP, por exemplo o Laboratório de M.B.F. com o qual já existe uma colaboração. Em análise de semicondutoras e estruturas epitaxiais. Nesses casos, técnicas de alta resolução, como difratômetria de duplo cristal (DCD) e mapeamento do espaço recíproco (RSM). Serão utilizadas. Dentre as primeiras aplicações do equipamento estão: otimização de homoepitaxia de GaAs/GaAs, análise de epitaxias simples de novos materiais (c-CGaN). Caracterização de estruturas epitaxiais complexas (super-redes), controle do acabamento de superfícies semiconduloras, análise de silício poroso, visualização da conformação de blocos na superfície de cristais mosaicos etc. (AU)