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Propriedades eletronicas de super-redes semicondutoras.

Processo: 99/12694-8
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2000
Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Andre Bohomoletz Henriques
Beneficiário:Andre Bohomoletz Henriques
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Materiais nanoestruturados  Propriedades magneto-ópticas  Super-redes  Física do estado sólido 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Fisica De Semicondutores | Fisica Do Estado Solido | Magneto-Transporte | Nanoestruturas | Propriedades Magneto-Opticas | Super-Redes

Resumo

Serão estudadas super-redes de composição InP/InGaAsP dopadas com Si, crescidas por MOVPE no Laboratório de Optoeletrônica do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron e no LABSEM da Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro. Serão abordados os seguintes aspectos: (1) estados de superfície; (2) efeitos de campo elétrico ao longo da direção vertical; estudo detalhado das propriedades de transporte nesta condição e observação de uma condutividade diferencial negativa. Este projeto representa uma continuação da pesquisa em curso. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
HENRIQUES‚ AB; SOUZA‚ PL; YAVICH‚ B.. Electronic scattering in doped finite superlattices. Physical Review B, v. 64, n. 4, p. 045319, . (99/12694-8, 99/10359-7)