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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Modeling ferroelectric permittivity dependence on electric field and estimation of the intrinsic and extrinsic contributions

Texto completo
Autor(es):
Placeres-Jimenez, R. [1] ; Rino, J. P. [1] ; Eiras, J. A. [2]
Número total de Autores: 3
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, Grp Simulacao Computac, Sao Carlos, SP - Brazil
[2] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, Grp Mat Ferroeletr, Sao Carlos, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS; v. 48, n. 3 JAN 28 2015.
Citações Web of Science: 2
Resumo

The nonlinear dependence of the dielectric permittivity on electric field epsilon(E) is modeled by the relationship epsilon(E) = epsilon(00) + 1/(alpha + beta E-eff(2)), where E-eff = E + kappa P(E). Using an appropriate mathematical representation of the polarization loop P(E), it is possible to describe correctly the hysteretic behavior of the curve epsilon(E). This model allows the separation of the intrinsic and extrinsic contributions to the dielectric response from the experimental measurement of epsilon(E). The model is validated for PZT and PLZT ferroelectric thin films. It is shown that the polarization hysteresis loop can be reconstructed from the curve epsilon(E), which can be very useful for separating polarization current from leakage current in ferroelectric samples. (AU)

Processo FAPESP: 08/04025-0 - Materiais multifuncionais multiferróicos nanoestruturados: síntese, propriedades, fenomenologia e aplicações
Beneficiário:José Antonio Eiras
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 13/18874-7 - Nanoestruturas de Perovskitas Ferroelétricas: Modelos Coletivos do Movimento das Paredes de Domínios e Simulação por Dinâmica Molecular Clássica
Beneficiário:Rolando Placeres Jiménez
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado