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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

The origin of grain boundary capacitance in highly doped ceria

Texto completo
Autor(es):
Souza, Eduardo Caetano C. [1] ; Goodenough, John B. [2]
Número total de Autores: 2
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Sao Paulo, Inst Quim, BR-05508000 Sao Paulo, SP - Brazil
[2] Univ Texas Austin, Texas Mat Inst, Austin, TX 78712 - USA
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Chemistry Chemical Physics; v. 18, n. 8, p. 5901-5904, FEB 28 2016.
Citações Web of Science: 1
Resumo

The origin of a grain-boundary capacitance in mixed oxide-ion/electronic conductors has been investigated for the case of Ce0.8Sm0.2O1.9-delta using a.c. impedance spectroscopy under low pO(2) from 250 to 400 degrees C. The observed capacitance is interpreted in terms of Ce-III:4f(1) electrons first introduced into the grains and not into the grain boundaries. (AU)

Processo FAPESP: 12/15785-0 - Desenvolvimento e Caracterização de Novos Materiais Condutores a Partir de Niobatos Lamelares
Beneficiário:Eduardo Caetano Camilo de Souza
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado