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(Referência obtida automaticamente do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Kinetics of Vacancy Doping in SrTiO3 Studied by in situ Electrical Resistivity

Texto completo
Autor(es):
Felipe Souza Oliveira [1] ; Ana Carolina Favero [1] ; Sergio Tuan Renosto [1] ; Mário Sérgio da Luz ; Carlos Alberto Moreira dos Santos [1]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Sao Paulo, Escola Engn Lorena, BR-12602810 Lorena, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS; v. 21, n. 4 2018-05-03.
Resumo

The kinetics of annealing to transform stoichiometric SrTiO3 insulator into a vacancy-doped semiconductor-superconductor was revisited by in situ electrical resistivity measurements. SrTiO3 single crystals were grown by Floating Zone Method. Using a homemade apparatus several electrical resistivity as a function of time were measured at different temperatures, which allows one to study the creation of vacancies during annealing under vacuum. The activation energy for the oxygen vacancies formation/charge doping in SrTiO3 was estimated as 1.4±0.3 eV using solid-state kinetics approach. (AU)

Processo FAPESP: 16/00335-0 - Plano anual de aplicação da reserva técnica institucional da EEL - USP 2014-2015
Beneficiário:Carlos Alberto Moreira dos Santos
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reserva Técnica para Infraestrutura Institucional de Pesquisa
Processo FAPESP: 09/54001-2 - EMU: aquisição de equipamento cryo-free para caracterização de propriedades magnéticas por magnetometria de amostra vibrante (VSM)
Beneficiário:Carlos Alberto Moreira dos Santos
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Equipamentos Multiusuários