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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Robustness of spin polarization against temperature in multilayer structure: Triple quantum well

Texto completo
Autor(es):
Ullah, S. [1, 2] ; Moraes, F. C. D. [1] ; Gusev, G. M. [1] ; Bakarov, A. K. [3, 4] ; Hernandez, F. G. G. [1]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Sao Paulo, Inst Fis, Caixa Postal 66318, BR-05315970 Sao Paulo, SP - Brazil
[2] Gomal Univ, Dept Phys, Dera Ismail Khan 29220, KP - Pakistan
[3] Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090 - Russia
[4] Inst Semicond Phys, Novosibirsk 630090 - Russia
Número total de Afiliações: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Journal of Applied Physics; v. 123, n. 21 JUN 7 2018.
Citações Web of Science: 0
Resumo

We address the temperature influence on the precessional motion of electron spins under a transverse magnetic field, studied in GaAs/AlGaAs triple quantum wells, using pump-probe Kerr rotation. In the presence of an applied in-plane magnetic field, the TRKR measurements show the robustness of carrier's spin polarization against temperature, which can be easily traced in an extended range up to 250 K. By tuning the pump-probe wavelength to the exciton bound to a neutral donor transition, we observed a remarkably long-lasting spin coherence (with dephasing time T-2({*}) > 14 ns) limited by the spin hopping process and exchange interaction between the donor sites, as well as the ensemble spread of the g-factor. The temperature dependent spin dephasing time revealed a double linear dependence due to the different relaxation mechanisms active in respective temperature ranges. We observed that the increase in sample temperature from 5 K to 250 K leads to a strong T-2({*}) reduction by almost 98%/97% for the excitation wavelengths of 823/821 nm. Furthermore, we noticed that the temperature increase not only causes the reduction of spin lifetime, but can also lead to the variation of the electron g-factor. Additionally, the spin dynamics were studied through the dependencies on the applied magnetic field and optical pump power. Published by AIP Publishing. (AU)

Processo FAPESP: 14/25981-7 - Geração e mapeamento espacial e temporal de correntes de spin
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Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 15/16191-5 - Pesquisas em novos materiais envolvendo campos magnéticos intensos e baixas temperaturas
Beneficiário:Gennady Gusev
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 09/15007-5 - Dinâmica do magnetismo em nanocristais semicondutores
Beneficiário:Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 13/03450-7 - O efeito Hall de spin em semicondutores
Beneficiário:Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular