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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Fractional fermion number and Hall conductivity of domain walls

Texto completo
Autor(es):
Mateos Guilarte, J. [1] ; Vassilevich, D. [2, 3]
Número total de Autores: 2
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Salamanca, Dept Fis Fundamental, Salamanca - Spain
[2] Univ Fed ABC, CMCC, Santo Andre, SP - Brazil
[3] Tomsk State Univ, Phys Dept, Tomsk - Russia
Número total de Afiliações: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physics Letters B; v. 797, OCT 10 2019.
Citações Web of Science: 0
Resumo

In this letter the fractional fermion number of thick domain walls is computed. The analysis is achieved by developing the heat kernel expansion of the spectral eta function of the Dirac Hamiltonian governing the fermionic fluctuations around the domain wall. A formula is derived showing that a non null fermion number is always accompanied by a Hall conductivity induced on the wall. In the limit of thin and impenetrable walls the chiral bag boundary conditions arise, and the Hall conductivity is computed for this case as well. (C) 2019 The Authors. Published by Elsevier B.V. (AU)

Processo FAPESP: 17/50294-1 - Quantum field theory in Dirac materials
Beneficiário:Dmitry Vasilevich
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 16/03319-6 - Métodos não perturbativos em teoria quântica e em TQC e aplicações deles aos problemas de física atuais
Beneficiário:Dmitri Maximovitch Guitman
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático