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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Toward Realistic Amorphous Topological Insulators

Texto completo
Autor(es):
Costa, Marcio [1] ; Schleder, Gabriel R. [1, 2] ; Nardelli, Marco Buongiorno [3, 4] ; Lewenkopf, Caio [5] ; Fazzio, Adalberto [1, 2]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] CNPEM, Brazilian Nanotechnol Natl Lab LNNano, BR-13083970 Campinas, SP - Brazil
[2] Fed Univ ABC UFABC, Ctr Nat & Human Sci, BR-09210580 Santo Andre, SP - Brazil
[3] Univ North Texas, Dept Phys, Denton, TX 76203 - USA
[4] Univ North Texas, Dept Chem, Denton, TX 76203 - USA
[5] Univ Fed Fluminense, Dept Fis, BR-24210346 Niteroi, RJ - Brazil
Número total de Afiliações: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Nano Letters; v. 19, n. 12, p. 8941-8946, DEC 2019.
Citações Web of Science: 1
Resumo

The topological properties of materials are, until now, associated with the features of their crystalline structure, although translational symmetry is not an explicit requirement of the topological phases. Recent studies of hopping models on random lattices have demonstrated that amorphous model systems show a nontrivial topology. Using ab initio calculations, we show that two-dimensional amorphous materials can also display topological insulator properties. More specifically, we present a realistic state-of-the-art study of the electronic and transport properties of amorphous bismuthene systems, showing that these materials are topological insulators. These systems are characterized by the topological index Z(2) = 1 and bulk-edge duality, and their linear conductance is quantized, G = 2e(2)/h, for Fermi energies within the topological gap. Our study opens the path to the experimental and theoretical investigation of amorphous topological insulator materials. (AU)

Processo FAPESP: 17/18139-6 - Machine learning e Ciência de Materiais: descoberta e design de materiais 2D
Beneficiário:Gabriel Ravanhani Schleder
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 17/02317-2 - Interfaces em materiais: propriedades eletrônicas, magnéticas, estruturais e de transporte
Beneficiário:Adalberto Fazzio
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 16/14011-2 - Propriedades eletrônicas: interfaces entre isolantes topológicos (TI-TI)
Beneficiário:Marcio Jorge Teles da Costa
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado