| Texto completo | |
| Autor(es): |
Yojo, Leonardo S.
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Rangel, Ricardo C.
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Sasaki, Katia R. A.
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Ortiz-Conde, Adelmo
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Martino, Joao A.
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Número total de Autores: 5
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| Afiliação do(s) autor(es): | [1] Univ Sao Paulo, LSI PSI USP, Sao Paulo - Brazil
[2] Fac Tecnol Sao Paulo, FATEC SP, Sao Paulo - Brazil
[3] Univ Simon Bolivar, Solid State Elect Lab, Caracas 1080 - Venezuela
Número total de Afiliações: 3
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Solid-State Electronics; v. 169, JUL 2020. |
| Citações Web of Science: | 0 |
| Resumo | |
A simple model is proposed for the Back Enhanced SOI MOSFET in triode region. This model is based on a conventional MOSFET model in series with resistors and antiparallel Schottky diodes. A robust parameter extraction method, based on lateral optimization, is also presented. The dependence of the extracted parameters with the back-gate bias is studied. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 18/01568-4 - Otimização de transistores BE SOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores |
| Beneficiário: | Leonardo Shimizu Yojo |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |