| Texto completo | |
| Autor(es): |
Nogueira, Gabriel L.
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Vieira, Douglas H.
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Morais, Rogerio M.
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Serbena, Jose P. M.
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Seidel, Keli F.
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Alves, Neri
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Número total de Autores: 6
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| Afiliação do(s) autor(es): | [1] Sao Paulo State Univ UNESP, Fac Sci & Technol FCT, Dept Phys, BR-19060900 Presidente Prudente - Brazil
[2] Univ Fed Parana UFPR, Dept Phys, BR-82590300 Curitiba, Parana - Brazil
[3] Univ Tecnol Fed Parana UTFPR, Dept Phys, BR-80230901 Curitiba, Parana - Brazil
Número total de Afiliações: 3
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS; v. 42, n. 12, p. 1790-1793, DEC 2021. |
| Citações Web of Science: | 0 |
| Resumo | |
Few works on solution-processed zinc oxide vertical transistors and electrolyte-gated transistors have shown the merits of both architectures. Here, we present an electrolyte-gated vertical field-effect transistor (EGVFET) based on a spray-deposited zinc oxide/silver nanowire (ZnO/AgNW) Schottky contact. The output curve shows that the device operates at a sub-1 V bias. Also, the electrolyte does not affect the diode cell, and the cyclic voltammetry of the capacitor cell does not indicate a faradic process betweenAgNWand the top-gate electrode. Fromthe transfer curve, we extracted an I-ON/I-OFF ratio of 10(4), an on-current density of 65.3 mA/cm(2) and a normalized transconductance of 113.4 mS/cm(2). Our contribution places the ZnO-EGVFET structure on the front line to develop printed transistors without a high-resolution pattern. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 20/12282-4 - Desenvolvimento de transistores verticais de efeito de campo com eletrólito no gate para fotodetectores UV |
| Beneficiário: | Douglas Henrique Vieira |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 18/02037-2 - Desenvolvimento de transistores verticais de efeito de campo impressos |
| Beneficiário: | Gabriel Leonardo Nogueira |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |