Metallic behavior in STO/LAO heterostructures with non-uniformly atomic interfaces

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Amoresi, Rafael A. C. ; Cichetto Jr, Leonelio ; Gouveia, Amanda F. ; Colmenares, Yormary N. ; Teodoro, Marcio D. ; Marques, Gilmar E. ; Longo, Elson ; Simoes, Alexandre Z. ; Andres, Juan ; Chiquito, Adenilson J. ; Zaghete, Maria A.

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS; v. 24, p. 10-pg., 2020-09-01.

Resumo

The search for new and low-power switching devices involving the integration of semiconductor thin films is of interest, and has led to renewed research because such devices may exhibit innovative properties. Here, we investigate the two-dimensional electron gas (2DEG) at the LaAlO3/SrTiO3 interface with metallic and insulator behavior. Insight is offered by quantifying the interface charge distribution associated with structural and electronic order-disorder effects. Variations in the electron conductivity were observed to be associated with different specific clustering arrangements of both Ti and Al cations of the co-exposed surfaces at the interface, i.e., structural and electronic connectivity among the undercoordinated [TiO5] and [AlO5] clusters. These results indicate facet control as a strategy for enhancing the electric and magnetic properties of a device via the quantum confinement of electrons. (AU)

• Processo FAPESP: 17/23663-6 - Irradiação por laser de femtossegundos em filmes finos de LaNiO3 depositados por PLD para estudo das propriedades estruturais e físicas para aplicação em memorias ferroelétricas
• Beneficiário: Leonélio Cichetto Junior
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 17/19143-7 - Uma abordagem teórico-experimental dos mecanismos de condução e defeitos de interface em heteroestruturas sensoras baseados em semicondutores P-N e N-N a partir de matrizes de CeO2
• Beneficiário: Rafael Aparecido Ciola Amoresi
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 18/01914-0 - Funcionalizando a emissão óptica em estruturas de tunelamento quântico em diferentes intervalos espectrais
• Beneficiário: Marcio Daldin Teodoro
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais
• Beneficiário: Elson Longo da Silva
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs
• Processo FAPESP: 19/09296-6 - Irradiação por laser femtosegundo em amostras de CeO2 e avanços na abordagem teórica
• Beneficiário: Rafael Aparecido Ciola Amoresi
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 14/01371-5 - Obtenção de memórias com LaNiO3 e LaNiO3/BaTiO3 utilizando PLD
• Beneficiário: Leonélio Cichetto Junior
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado