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A novel and promising Penta-Octa-Based silicon carbide semiconductor

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Autor(es):
Laranjeira, Jose A. S. ; Martins, Nicolas F. ; Denis, Pablo A. ; Sambrano, Julio R.
Número total de Autores: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: FLATCHEM; v. 46, p. 9-pg., 2024-06-08.
Resumo

Penta-octa-graphene (POG) consists of pentagonal and octagonal carbon rings, hosting type-I and type-II Dirac line nodes due to its sp2 and sp3 mixed bonds. Inorganic analogs of 2D carbon lattices have increased the potential applications and changed the main properties of carbon-based structures. Therefore, this work proposes penta-octa-graphene based on silicon carbide using DFT simulations. With a cohesive energy of -5.22 eV/atom, POG-Si5C4 is energetically viable in comparison with other silicon carbide-based monolayers. Phonon dispersion analysis confirms the POG-Si5C4 dynamical stability. MD simulations demonstrate that this new monolayer can withstand temperatures up to 1020 K. Electronic analysis indicates it is a semiconductor with an indirect band gap transition of 2.02 eV. The mechanical properties exhibit anisotropy, with Young's modulus ranging from 38.65 to 99.47 N/m and an unusual negative Poisson's ratio of -0.09. The band edge alignment suggests that POG-Si5C4 holds potential for hydrogen generation through photocatalytic water splitting. This research opens possibilities for designing inorganic penta-octa-based structures and provides insights for future experimental and theoretical studies focused on exploring and optimizing advanced silicon-carbide 2D materials. (AU)

Processo FAPESP: 20/01144-0 - Propriedades eletrônicas, estruturais dos compostos ABO4 (A = Ba, Ca, Cd, Sr e Pb e M = Mo e W) e modelagem das transformações morfológicas de suas nanopartículas
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