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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Nanoscale lateral switchable rectifiers fabricated by local anodic oxidation

Texto completo
Autor(es):
Siles, Pablo F. [1, 2] ; Archanjo, B. S. [3] ; Baptista, D. L. [3] ; Pimentel, V. L. [1] ; Yang, J. Joshua [4] ; Neves, B. R. A. [5] ; Medeiros-Ribeiro, G. [4]
Número total de Autores: 7
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Lab Nacl Luz Sincrotron, BR-13083970 Campinas, SP - Brazil
[2] Univ Estadual Campinas, UNICAMP, Inst Fis Gleb Wataghin, BR-13083859 Campinas, SP - Brazil
[3] Inst Nacl Metrol Normalizacao & Qualidade Ind INM, Div Mat Metrol, BR-25250020 Duque De Caxias, RJ - Brazil
[4] Hewlett Packard Labs, Palo Alto, CA 94304 - USA
[5] Univ Fed Minas Gerais, Dept Fis, BR-30123970 Belo Horizonte, MG - Brazil
Número total de Afiliações: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Journal of Applied Physics; v. 110, n. 2 JUL 15 2011.
Citações Web of Science: 10
Resumo

Scanning probe lithography as a mean to pattern, implement, and discover new devices in different materials systems provides an elevated degree of flexibility, permitting one to tailor device geometries and structures at will, in particular by virtue of modification of the local chemistry. Here we define metal-insulator-metal junctions exhibiting a switchable rectifier behavior by patterning titanium channels through local anodic oxidation techniques. The nanoscale TiO(2) junctions thus formed exhibit IV characteristics with non-volatile switchable rectification and memristive behavior due to ionic motion through the metal-semiconductor interfaces. VC 2011 American Institute of Physics. {[}doi:10.1063/1.3609065] (AU)

Processo FAPESP: 05/04643-7 - Propriedades eletrônicas de pequenos conjuntos de nanoestruturas isoladas
Beneficiário:Pablo Roberto Fernández Siles
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado