| Texto completo | |
| Autor(es): Mostrar menos - |
Boas, A. C. V.
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Alberton, S. G.
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Medina, N. H.
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Aguiar, V. A. P.
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Melo, M. A. A.
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Santos, R. B. B.
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Giacomini, R. C.
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Cavalcante, T. V.
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Seixas, L. E.
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Finco, S.
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Palomo, F. R.
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Guazzelli, M. A.
Número total de Autores: 12
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | 2022 22ND EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS, RADECS; v. N/A, p. 4-pg., 2022-01-01. |
| Resumo | |
This work presents a radiation effects comparison in a COTS GaN HEMT observed when this transistor is irradiated with a 10 keV X-ray and a 1.25 MeV.-ray electromagnetic radiation. The results indicate that these two sources may affect this device differently. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 19/07767-1 - Reações nucleares com núcleos fracamente ligados ou com estrutura de cluster, radioativos e estáveis |
| Beneficiário: | Leandro Romero Gasques |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Temático |
| Processo FAPESP: | 17/18181-2 - Estudo dos efeitos da radiação ionizante em um circuito retificador |
| Beneficiário: | Alexis Cristiano Vilas Bôas |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Iniciação Científica |