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Lingering times at resonance: The case of Sb-based tunneling devices

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Autor(es):
Castro, E. D. Guarin ; Pfenning, A. ; Hartmann, F. ; Naranjo, A. ; Knebl, G. ; Teodoro, M. D. ; Marques, G. E. ; Hoefling, S. ; Bastard, G. ; Lopez-Richard, V.
Número total de Autores: 10
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: PHYSICAL REVIEW APPLIED; v. 23, n. 1, p. 12-pg., 2025-01-23.
Resumo

Concurrent natural time scales related to relaxation, recombination, trapping, and drifting processes rule the semiconductor heterostructures' response to external drives when charge carrier fluxes are induced. This paper highlights the role of stoichiometry not only for the quantitative tuning of the electron-hole dynamics, but also for significant qualitative contrasts of time-resolved optical responses during the operation of resonant tunneling devices. Therefore, similar device architectures and different compositions have been compared to elucidate the correlation among structural parameters, radiative recombination processes, and electron-hole pair and minority-carrier relaxation mechanisms. When these ingredients intermix with the electronic structure in Sb-based tunneling devices, it is proven possible to assess various time scales according to the intensity of the current flux, contrary to what has been observed in As-based tunneling devices with similar design and transport characteristics. These time scales are strongly affected by the filling process in the P and L states in Sb-based double-barrier quantum wells and by the small separation between these states, compared to similar heterostructures based on As. (AU)

Processo FAPESP: 14/07375-2 - EMU concedido no projeto 2013/18719-1: sistema de medidas resolvidas no tempo
Beneficiário:Marcio Daldin Teodoro
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Equipamentos Multiusuários
Processo FAPESP: 14/02112-3 - Fenômenos ópticos e de transporte em nano-dispositivos
Beneficiário:Victor Lopez Richard
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 14/19142-2 - Caracterização e processamento de nanoestruturas semicondutoras e aplicações como dispositivos
Beneficiário:Gilmar Eugenio Marques
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 13/18719-1 - Dinâmica de portadores eletrônicos em nanoestruturas semicondutoras
Beneficiário:Marcio Daldin Teodoro
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
Processo FAPESP: 18/01914-0 - Funcionalizando a emissão óptica em estruturas de tunelamento quântico em diferentes intervalos espectrais
Beneficiário:Marcio Daldin Teodoro
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 22/10340-2 - EMU científico: aquisição de um sistema de fluorescência de alta resolução temporal, espacial, espectral e operando em amplo intervalo de temperatura
Beneficiário:Gilmar Eugenio Marques
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Infraestrutura - Científico
Processo FAPESP: 15/13771-0 - EMU concedido no processo 14/19142-2: criostato de ultra baixa vibração com campo magnético e microscópio confocal
Beneficiário:Gilmar Eugenio Marques
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Equipamentos Multiusuários