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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN

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Autor(es):
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Fernandez, J. R. L. ; Cerdeira, F. ; Meneses, E. A. ; Brasil, M. J. S. P. ; Soares, J. A. N. T. ; Santos, A. M. ; Noriega, O. C. ; Leite, J. R. ; As, D. J. ; Köhler, U. ; Potthast, S. ; Pacheco-Salazar, D. G.
Número total de Autores: 12
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 68, n. 15, p. 155204-1-155204-7, Oct. 2003.
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Assunto(s):Física óptica   Fotoluminescência   Difração por raios X   Materiais nanoestruturados   Desenvolvimento de novos materiais
Resumo

We performed optical and x-ray diffraction experiments on carbon doped cubic-GaN samples, deposited by plasma-assisted molecular beam epitaxy on (001) GaAs substrates, for various carbon concentrations. The samples were studied by Raman, photoluminescence, and photoluminescence excitation spectroscopies. These techniques give some insight into the mechanism of carbon incorporation in the material. Detailed analysis of these spectra leads to a picture in which carbon initially enters into N vacancies producing a marked improvement in the crystalline properties of the material. At higher concentrations it also begins to enter interstitially and form C complexes, with a consequent decrease of crystalline quality. This increase and later decrease of crystalline quality of our samples with the addition of C were also detectable in x-ray diffraction scans. A model calculation of the localized vibrations of the C atom in the GaN lattice allows for the interpretation of a feature in the Raman spectrum of some samples, which reinforces this view. (AU)

Processo FAPESP: 01/01067-4 - Estudo de sistemas de baixa dimensionalidade
Beneficiário:Jose Antonio Brum
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
Beneficiário:Gennady Gusev
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático