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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy

Texto completo
Autor(es):
Martini, S. ; Quivy, A. A. ; Silva, E. C. F. da ; Leite, J. R.
Número total de Autores: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Applied Physics Letters; v. 81, n. 15, p. 2863-2865, Oct. 2002.
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Assunto(s):Átomos
Resumo

The surface segregation of indium (In) atoms was investigated during the growth of InGaAs layers by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). We observed that the decay constant of the RHEED-oscillation amplitude during growth depends on the growth conditions and is related, in a very simple way, to the segregation coefficient of the In atoms in the InGaAs layers. (AU)

Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
Beneficiário:Gennady Gusev
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 98/14489-0 - Estudos do padrao de difracao de amostras semicondutoras de compostos iii-v crescidas pela tecnica de epitaxia por feixe molecular.
Beneficiário:Alain André Quivy
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 97/07974-6 - Estudo do crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas de ingaas sobre substratos desorientados.
Beneficiário:Sandro Martini
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado