| Texto completo | |
| Autor(es): |
Martini, S.
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Quivy, A. A.
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Silva, E. C. F. da
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Leite, J. R.
Número total de Autores: 4
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Applied Physics Letters; v. 81, n. 15, p. 2863-2865, Oct. 2002. |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física |
| Assunto(s): | Átomos |
| Resumo | |
The surface segregation of indium (In) atoms was investigated during the growth of InGaAs layers by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). We observed that the decay constant of the RHEED-oscillation amplitude during growth depends on the growth conditions and is related, in a very simple way, to the segregation coefficient of the In atoms in the InGaAs layers. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V |
| Beneficiário: | Gennady Gusev |
| Linha de fomento: | Auxílio à Pesquisa - Temático |
| Processo FAPESP: | 98/14489-0 - Estudos do padrao de difracao de amostras semicondutoras de compostos iii-v crescidas pela tecnica de epitaxia por feixe molecular. |
| Beneficiário: | Alain André Quivy |
| Linha de fomento: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 97/07974-6 - Estudo do crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas de ingaas sobre substratos desorientados. |
| Beneficiário: | Sandro Martini |
| Linha de fomento: | Bolsas no Brasil - Doutorado |