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(Referência obtida automaticamente do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Optical Studies of the Correlation Between Interface Disorder and the Photoluminescence Line Shape in GaAs/InGaP Quantum Wells

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Autor(es):
Laureto, E. ; Meneses, E. A. ; Carvalho Junior, Wilson de ; Bernussi, Ayrton André ; Ribeiro, E. ; Silva, E. C. F. da ; Oliveira, J. B. B. de
Número total de Autores: 7
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Brazilian Journal of Physics; v. 32, n. 2A, p. 314-317, June 2002.
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Notas: O processo está em nome de Guennadii Mikhailovitch Gusev
Assunto(s):Fotoluminescência   Semicondutores   Materiais nanoestruturados   Desenvolvimento de novos materiais
Resumo

Photoluminescence (PL) and excitation PL measurements have been performed at different temperatures in a number of lattice-matched GaAs/In0.49Ga0.51P quantum wells, where the uctuations of the potential energy are comparable with the thermal energy of the photocreated carriers. Two samples with different well widths allow to observe a series of anomalous e ects in their optical response...(AU)

Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
Beneficiário:Gennady Gusev
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático