Optical Studies of the Correlation Between Interface Disorder and the Photoluminescence Line Shape in GaAs/InGaP Quantum Wells

Autor(es)

Laureto, E. ; Meneses, E. A. ; Carvalho Junior, Wilson de ; Bernussi, Ayrton André ; Ribeiro, E. ; Silva, E. C. F. da ; Oliveira, J. B. B. de

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Brazilian Journal of Physics; v. 32, n. 2A, p. 314-317, June 2002.
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
• Notas: O processo está em nome de Guennadii Mikhailovitch Gusev
• Assunto(s): Fotoluminescência Semicondutores Materiais nanoestruturados Desenvolvimento de novos materiais

Resumo

Photoluminescence (PL) and excitation PL measurements have been performed at different temperatures in a number of lattice-matched GaAs/In0.49Ga0.51P quantum wells, where the uctuations of the potential energy are comparable with the thermal energy of the photocreated carriers. Two samples with different well widths allow to observe a series of anomalous e ects in their optical response...(AU)

• Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático