| Texto completo | |
| Autor(es): Mostrar menos - |
Cichetto Jr, Leonelio
;
Donate-Buendia, Carlos
;
Flores-Arias, Maria Teresa
;
Aymerich, Maria
;
da Costa, Joao Paulo de Campos
;
Cordoncillo-Cordoncillo, Eloisa
;
do Carmo, Joao Paulo Pereira
;
Ando Jr, Oswaldo Hideo
;
Beltran Mir, Hector
;
Bort, Juan Manuel Andres
;
da Silva, Elson Longo
;
Chiquito, Adenilson Jose
Número total de Autores: 12
|
| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | INORGANICS; v. 13, n. 9, p. 13-pg., 2025-09-02. |
| Resumo | |
In this work, we investigated how the electrical resistivity of LaNiO3 thin films deposited on SrLaAlO4 (100), LaAlO3 (100), and MgO (100) single-crystal substrates by the pulsed laser deposition (PLD) technique can be controlled by femtosecond laser irradiation. Thin films were characterized by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (SEM-EDS), and temperature-dependent electrical resistivity measurements. The XRD data indicated good crystallinity and preferential crystallographic orientation. The electronic transport parameters of irradiated samples showed a remarkable decrease in the electrical resistivity for all studied films, which ranged from 38% to 52% depending on the temperature region considered and the type of substrate used. The results indicate a new and innovative route to decrease the electrical resistivity values in a precise, controlled, and localized manner, which could not be performed directly by well-known growth processes, allowing for direct application in non-volatile-memory electrodes. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais |
| Beneficiário: | Elson Longo da Silva |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs |
| Processo FAPESP: | 14/01371-5 - Obtenção de memórias com LaNiO3 e LaNiO3/BaTiO3 utilizando PLD |
| Beneficiário: | Leonélio Cichetto Junior |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Processo FAPESP: | 19/18656-6 - Desenvolvimento de sistema de irradiação por feixe de elétrons e sua aplicação na modificação de materiais semicondutores |
| Beneficiário: | João Paulo de Campos da Costa |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 23/13792-4 - Implementação de técnica espectroscópica ultrarrápida |
| Beneficiário: | Leonélio Cichetto Junior |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Programa Capacitação - Treinamento Técnico |
| Processo FAPESP: | 17/23663-6 - Irradiação por laser de femtossegundos em filmes finos de LaNiO3 depositados por PLD para estudo das propriedades estruturais e físicas para aplicação em memorias ferroelétricas |
| Beneficiário: | Leonélio Cichetto Junior |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado |
| Processo FAPESP: | 22/10340-2 - EMU científico: aquisição de um sistema de fluorescência de alta resolução temporal, espacial, espectral e operando em amplo intervalo de temperatura |
| Beneficiário: | Gilmar Eugenio Marques |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Programa Infraestrutura - Científico |