Resonant magnetic tunnel junction at 0 degrees K: I-V characteristics and magnetoresistance

Dartora, C. A.; Cabrera, G. G.

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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Resonant magnetic tunnel junction at 0 degrees K: I-V characteristics and magnetoresistance

Texto completo
Autor(es):	Dartora, C. A. ^[1] ; Cabrera, G. G. Número total de Autores: 2
Afiliação do(s) autor(es):	^[1] Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin - Brasil Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento:	Artigo Científico
Fonte:	Journal of Applied Physics; v. 97, n. 3, p. 033708-1-033708-8, Feb. 2005.
Área do conhecimento:	Ciências Exatas e da Terra - Física
Assunto(s):	Magnetismo Ressonância paramagnética de spin Magneto-resistência
Resumo
In this paper we analyze the main transport properties of a simple resonant magnetic tunnel junction (FM-IS-METAL-IS-FM structure) taking into account both elastic and magnon-assisted tunneling processes at low voltages and temperatures near 0° K. We show the possibility of magnetoresistance inversion as a consequence of inelastic processes and spin-dependent transmission coefficients. Resonant tunneling can also explain the effect of scattering by impurities located inside an insulating barrier. (AU)

Processo FAPESP:	02/09895-6 - Tunelamento e transporte quântico em sistemas mesoscópicos: fundamentos e aplicações
Beneficiário:	César Augusto Dartora
Modalidade de apoio:	Bolsas no Brasil - Doutorado

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