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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Study of the spontaneous alignment of InAs quantum dots along the surface steps as a function of the InAs coverage

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Autor(es):
da Silva‚ MJ ; Quivy‚ AA ; Gonzalez-Borrero‚ PP ; Marega‚ E.
Número total de Autores: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Thin Solid Films; v. 410, n. 1, p. 188-193, 2002.
Processo FAPESP: 95/05651-0 - Scanning probe microscope para multi-usuários
Beneficiário:Maria Cecília Barbosa da Silveira Salvadori
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Infraestrutura - Equipamentos
Processo FAPESP: 99/01225-7 - Caracterizacao por tecnicas spm de pontos quanticos de ingaas crescidos pela tecnica mbe
Beneficiário:Alain André Quivy
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
Beneficiário:Marcelo Jacob da Silva
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado