Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Magnetic field induced absorption in Pb xEu1-xTe magnetic semiconductors

Texto completo
Autor(es):
L. K. Hanamoto ; A. B. Henriques [2] ; P. H. de Oliveira Rappl [3] ; N. F. Oliveira [4] ; A. Y. Ueta [5] ; E. Abramof [6]
Número total de Autores: 6
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Brazilian Journal of Physics; v. 34, p. 687-689, 2004-06-00.
Resumo

We report an investigation of the optical absorption spectrum, using non-polarized light, in Pb xEu1-xTe, x=0 and x=0.095, epitaxial thick layers grown by molecular beam epitaxy (MBE). The absorption edge is described by a broad band, due to the electronic transitions from the 4f7 of Eu2+ to the states in 4f6 5d configuration, as seen previously in bulk Eu chalcogenides. When a magnetic field is applied, a narrow absorption band (full width ~50 meV) emerges from the broad one. The energy of this absorption peak red shifts when the magnetic field increases, and reaches saturation when the Eu2+ attain ferromagnetic arrangement. This behaviour can be described by a localized excitation model with d - f exchange interaction. (AU)

Processo FAPESP: 02/00720-9 - Interações eletrônicas em compostos epitaxiais III-V e IV-VI
Beneficiário:Luciana Kazumi Hanamoto
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado