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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Magnetic characteristics of nanocrystalline GaMnN films deposited by reactive sputtering

Texto completo
Autor(es):
Leite, D. M. G. [1] ; Pereira, A. L. J. [1] ; Iwamoto, W. A. [2] ; Pagliuso, P. G. [2] ; Lisboa-Filho, P. N. [1] ; da Silva, J. H. D. [1]
Número total de Autores: 6
Afiliação do(s) autor(es):
[1] UNESP Univ Estadual Paulista, Adv Mat Grp, BR-17033360 Bauru, SP - Brazil
[2] Univ Estadual Campinas, Inst Fis Gleb Wataghin, BR-13083970 Campinas, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: SOLID STATE SCIENCES; v. 17, p. 97-101, MAR 2013.
Citações Web of Science: 1
Resumo

The magnetic characteristics of Ga1-xMnxN nanocrystalline films (x = 0.08 and x = 0.18), grown by reactive sputtering onto amorphous silica substrates (a-SiO2), are shown. Further than the dominant paramagnetic-like behaviour, both field- and temperature-dependent magnetization curves presented some particular features indicating the presence of secondary magnetic phases. A simple and qualitative analysis based on the Brillouin function assisted the interpretation of these secondary magnetic contributions, which were tentatively attributed to antiferromagnetic and ferromagnetic phases. (C) 2012 Elsevier Masson SAS. All rights reserved. (AU)

Processo FAPESP: 05/02249-0 - Controle dos parâmetros de deposição de filmes hetero-epitaxiais de GaN e Ga(1-x)Mn(x)N preparados por RF magnetron sputtering
Beneficiário:Jose Humberto Dias da Silva
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 06/05627-8 - Otimização estrutural, óptica e magnética de filmes de Ga(1-x)Mn(x)N depositados por sputtering reativo
Beneficiário:Douglas Marcel Gonçalves Leite
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 04/12120-1 - Efeitos estruturais e ópticos da incorporação de Mn em filmes nanocristalinos de gamnn preparados por RF-magnetron sputtering
Beneficiário:Douglas Marcel Gonçalves Leite
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Mestrado