Synthesis and Characterization of BaFe2As2 Single Crystals Grown by In-flux Technique

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Garitezi, T. M. ^[1] ; Adriano, C. ^[1] ; Rosa, P. F. S. ^[1] ; Bittar, E. M. ^{[2, 1]} ; Bufaical, L. ^{[3, 1]} ; de Almeida, R. L. ^[1] ; Granado, E. ^{[1, 4]} ; Grant, T. ^[5] ; Fisk, Z. ^[5] ; Avila, M. A. ^[6] ; Ribeiro, R. A. ^[6] ; Kuhns, P. L. ^[7] ; Reyes, A. P. ^[7] ; Urbano, R. R. ^{[7, 1]} ; Pagliuso, P. G. ^{[5, 1]}

Afiliação do(s) autor(es)

^[1] Univ Estadual Campinas, Inst Fis Gleb Wataghin, BR-13083859 Sao Paulo - Brazil

^[2] Ctr Brasileiro Pesquisas Fis, BR-22290180 Rio De Janeiro - Brazil

^[3] Univ Fed Goias, Inst Fis, BR-74001970 Goiania, Go - Brazil

^[4] Lab Nacl Luz Sincrotron, BR-13083970 Sao Paulo - Brazil

^[5] Univ Calif Irvine, Irvine, CA 92697 - USA

^[6] Univ Fed ABC, Ctr Ciencias Nat & Humanas, BR-09210580 Sao Paulo - Brazil

^[7] Florida State Univ, Natl High Magnet Field Lab, Tallahassee, FL 32306 - USA

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Brazilian Journal of Physics; v. 43, n. 4, p. 223-229, AUG 2013.
• Citações Web of Science: 12

Resumo

We report a detailed characterization of BaFe2As2 single crystals grown by a metallic In-flux technique, an alternative to well-established growth routes using FeAs self- or Sn-flux. Electrical resistivity, magnetic susceptibility, nuclear magnetic resonance, and energy dispersive spectroscopy measurements showed no evidence of flux incorporation. More importantly, our results demonstrate that BaFe2As2 single crystals grown by In-flux have extremely high quality. To explore the efficiency of the In-flux growth method, we have also prepared nearly optimally doped superconducting samples of Ba(Fe1 -x M (x) )(2)As-2 (M = Co, Cu, Ni, and Ru). Among other interesting features, this alternative chemical substitution method has led to enhancement of the maximum T (c) for most dopings. (AU)

• Processo FAPESP: 09/09247-3 - Investigação de estados ordenados induzidos sob pressão em novos materiais.
• Beneficiário: Cris Adriano
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 11/12292-0 - Estudo de Propriedades de Transporte e Magnéticas em Novos Materiais
• Beneficiário: Thales Macedo Garitezi
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Processo FAPESP: 12/04870-7 - Estudos de novos materiais complexos e avançados
• Beneficiário: Pascoal Jose Giglio Pagliuso
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Processo FAPESP: 10/11949-3 - Ressonância de spin eletrônico (ESR) em compostos supercondutores intermetálicos a base de FeAs
• Beneficiário: Priscila Ferrari Silveira Rosa
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Processo FAPESP: 11/19924-2 - Estudo e desenvolvimento de novos materiais avançados: eletrônicos, magnéticos e nanoestruturados: uma abordagem interdisciplinar
• Beneficiário: Carlos Rettori
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Processo FAPESP: 11/01564-0 - Síntese e caracterização de novos materiais complexos e avançados
• Beneficiário: Pascoal Jose Giglio Pagliuso
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Processo FAPESP: 11/23795-3 - Busca por novos e melhores termoelétricos
• Beneficiário: Raquel de Almeida Ribeiro
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 11/23650-5 - Investigação da estrutura eletrônica de materiais complexos avançados através de espectroscopia de fotoemissão resolvida em ângulo
• Beneficiário: Cris Adriano
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 06/60440-0 - Estudo de sistemas fortemente correlacionados em condições extremas
• Beneficiário: Carlos Rettori
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático