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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas

Texto completo
Autor(es):
Hernandez, F. G. G. [1] ; Nunes, L. M. [1] ; Gusev, G. M. [1] ; Bakarov, A. K. [2]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Sao Paulo, Inst Fis, BR-05315970 Sao Paulo - Brazil
[2] Russian Acad Sci, Inst Semicond Phys, Novosibirsk 630090 - Russia
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 88, n. 16 OCT 29 2013.
Citações Web of Science: 19
Resumo

The experimental demonstration of the spin Hall effect in a high mobility two-dimensional electron system is reported. The spatial dependence is studied by Kerr rotation as a function of the external magnetic field using an applied electric field amplitude and direction as control parameters. We observe that the effect is robust in a bilayer structure with a nonzero Rashba coefficient displayed by an electrically controllable internal magnetic field, a large spin Hall conductivity in the range of the universal intrinsic value, and a mobility-enhanced spin diffusion constant. With the application of an unidirectional electric field, the role of the spin drift was also studied. The data was analyzed following both phenomenological and microscopic approaches and compared with experimental references in a single-layer configuration. (AU)

Processo FAPESP: 10/09880-5 - Efeito Hall de spin em poços quânticos duplos e largos
Beneficiário:Gennady Gusev
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 13/03450-7 - O efeito Hall de spin em semicondutores
Beneficiário:Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 09/15007-5 - Dinâmica do magnetismo em nanocristais semicondutores
Beneficiário:Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular