Voltage controlled electron spin dynamics in resonant tunnelling devices

Autor(es)

Galeti, H. V. A. ^[1] ; Brasil, M. J. S. P. ^[2] ; Galvao Gobato, Y. ^[3] ; Henini, M. ^[4]

Afiliação do(s) autor(es)

^[1] Univ Fed Sao Carlos, Dept Engn Eletr, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil

^[2] Univ Estadual Campinas, UNICAMP, Inst Fis Gleb Wataghin, BR-13083970 Campinas, SP - Brazil

^[3] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil

^[4] Univ Nottingham, Sch Phys & Astron, Nottingham Nanotechnol & Nanosci Ctr, Nottingham NG7 2RD - England

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS; v. 47, n. 16 APR 25 2014.
• Citações Web of Science: 1

Resumo

We investigate the electron spin dynamics in a p-type GaAs/AlAs resonant tunnelling device by measuring the time-and polarized-resolved photoluminescence (PL) from the GaAs quantum well under a high magnetic field (15 T). The voltage dependence of the PL transients have revealed various tunnelling processes with different time constants that give rise to distinct spin-polarized carriers injected into the double-barrier structure. (AU)

• Processo FAPESP: 11/20985-6 - Spin de portadores em estruturas semicondutoras investigado por técnicas ópticas
• Beneficiário: Maria José Santos Pompeu Brasil
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 12/24055-6 - Propriedades óticas, elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores
• Beneficiário: Yara Galvão Gobato
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular