Obtenção de memórias com LaNiO3 e LaNiO3/BaTiO3 utilizando PLD

Resumo

O composto niquelato de lantânio, LaNiO3 (LNO), é um interessante material devido as suas extensas e promissoras aplicações como eletrodo em vários dispositivos. O LaNiO3 sofre uma transição de fase de romboédrica para a fase cúbica em altas temperaturas e, além disso, apresenta um comportamento do tipo metálico e paramagnetismo de Pauli em uma vasta região de temperatura. Recentemente surgiu um enorme interesse na fabricação de filmes finos nanoestruturados com a utilização de cerâmicas policristalinas como o LaNiO3, esta motivação tem levado à descoberta de propriedades ainda não bem compreendidas como o aumento da condutividade, que é ideal para aplicações como eletrodo inferior em dispositivos de memoria e a indicação de supercondutividade em heteroestruturas. Por outro lado, o titanato de bário, BaTiO3, apresenta interessantes propriedades como piezoeletricidade e alto valor de constante dielétrica, podendo ser empregado como dielétrico na fabricação de memórias dielétricas/ferroelétricas. Um estudo detalhado do sistema LaNiO3 e LaNiO3/ BaTiO3, em filmes finos, depositados por uma técnica precisa e confiável é de fundamental importância e relevância para melhor compreensão de suas propriedades físicas e químicas em futuras aplicações como, por exemplo, na construção de materiais fotoluminescentes e memórias FeRAM. Este trabalho visa estudar a deposição de filmes finos do sistema LaNiO3 e LaNiO3/ BaTiO3 fabricados por intermédio da técnica conhecida como Pulsed Laser Deposition (PLD), em diferentes substratos (SrTiO3, MgO, LaAlO3 e SrLaAlO4). Estes materiais serão caracterizados por difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura, microscopia de força atômica e medidas de resistividade elétrica a baixas temperaturas que, combinadas, podem fornecer um melhor entendimento das propriedades físicas deste sistema fortemente correlacionado. (AU)