Caracterização elétrica e modelagem de dispositivos eletrônicos avançados

Resumo

Dispositivos eletrônicos avançados tais como o transistor MOS sem junções (JNTs) foram desenvolvidos a fim de se permitir um maior escalamento das dimensões dos dispositivos em relação aos dispositivos MOS convencionais, devido ao melhor controle eletrostático das cargas no canal, minimizando a ocorrência dos efeitos de canal curto. Dessa forma, esses transistores permitem uma maior miniaturização dos dispositivos eletrônicos.A fim de se analisar a operação de um dispositivo em circuitos elétricos, modelos analíticos são necessários. Esses modelos devem ser funcionais para dispositivos de diferentes características como concentração de dopantes e dimensões físicas, operando em diferentes polarizações e temperaturas. Os modelos também devem compreender tanto o funcionamento estático dos dispositivos como o dinâmico, sendo que este segundo está relacionado às capacitâncias. No caso dos MOS sem junções, diversos modelos tem sido desenvolvido visando o comportamento estático. Entretanto, o comportamento dinâmico de transistores sem junções foi pouco explorado na literatura, especialmente a modelagem de dispositivos porta tripla, que são mais interessantes do ponto de vista da aplicação prática.Assim, este projeto tem como objetivo principal a modelagem do comportamento dinâmico dos dispositivos eletrônicos, focando nos JNTs porta tripla. Para tal, é necessário realizar simulações numéricas e medidas elétricas. O comportamento estático também deve ser analisado cuidadosamente, uma vez que o mesmo interfere na distribuição de cargas e, portanto, nas capacitâncias. Outros dispositivos como os FinFETs e nanofios não dopados também podem ser analisados a fim de comparação. (AU)