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Medidas de ruído em baixa frequência de SOI FinFETs operando como elementos biossensores

Processo: 19/23283-4
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de março de 2020
Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2021
Área de conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:Carlos Augusto Bergfeld Mori
Supervisor: Pol Van Dorpe
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Instituição Anfitriã: University of Leuven, Leuven (KU Leuven), Bélgica  
Vinculado à bolsa:17/26489-7 - Projeto e fabricação de um BE SOI Túnel-FET como elemento biossensor, BP.DR
Assunto(s):Técnicas biossensoriais   Transistores FinFET   Microeletrônica
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:biossensores | FinFET | Silício sobre isolante | Microeletrônica

Resumo

Biossensores têm um papel central para a melhoria da qualidade e da expectativa de vida da sociedade contemporânea, sendo extremamente importantes para monitorar em tempo real a evolução de doenças e até mesmo prevenir ameaças biológicas de alto risco. Entre as plataformas biossensíveis sendo estudadas e desenvolvidas, dispositivos micro e nanoeletrônicos construídos em substratos SOI (do inglês, Silicon-On-Insulator) apresentam grande potencial. Este projeto de pesquisa propõe a caracterização elétrica de um dispositivo SOI FinFET adaptado para uso como um elemento biossensor, cuja performance princípios físicos de funcionamento serão avaliados a partir da observação das curvas características de performance dos transistores (inseridos ou não em meios biológicos) e de simulações numéricas para o estudo da sua física. Além da extração de parâmetros básicos, este projeto visa estudar em detalhe o ruído de baixa frequência deste tipo de dispositivos, uma vez que seu comportamento ainda não é amplamente compreendido na literatura. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
SANTERMANS, S.; BARGE, D.; HELLINGS, G.; MORI, C. B.; MIGACZ, K. J.; RIP, J.; SPAMPINATO, V; VOS, R.; DU BOIS, B.; CHAUDHURI, A. R.; et al. 50 nm Gate Length FinFET Biosensor & the Outlook for Single-Molecule Detection. 2020 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), v. N/A, p. 4-pg., . (19/23283-4)
MORI, CARLOS AUGUSTO BERGFELD; MARTENS, KOEN; SIMOEN, EDDY; VAN DORPE, POL; DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI; MARTINO, JOAO ANTONIO. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs. Solid-State Electronics, v. 194, p. 5-pg., . (17/26489-7, 19/23283-4)
MORI, C. A. B.; AGOPIAN, P. G. D.; MARTINO, J. A.; IEEE. Optimization of the Dual-Technology Back-Enhanced Field Effect Transistor. 2020 JOINT INTERNATIONAL EUROSOI WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (EUROSOI-ULIS), v. N/A, p. 4-pg., . (19/23283-4, 17/26489-7)