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Heteroestruturas de Van der Waals para spintrônica

Processo:22/00419-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2022
Data de Término da vigência: 31 de julho de 2023
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Acordo de Cooperação: Delft University of Technology
Proposta de Mobilidade:SPRINT - Projetos de pesquisa - Mobilidade
Pesquisador responsável:Yara Galvão Gobato
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Município da Instituição Sede:São Carlos
Vinculado ao auxílio:19/23488-5 - Dispositivos optoeletrônicos baseados em semicondutores bidimensionais, AP.R
Assunto(s):Spintrônica  Fotoluminescência  Materiais bidimensionais  Semicondutores  Propriedades magneto-ópticas 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:dispositivos 2Ds | fotoluminescencia | magnetos 2Ds | semicondutores 2Ds | Spintrônica | propriedades óticas e de transporte em materiais bidimensionais (2Ds)

Resumo

Recentemente, tem havido um interesse crescente nas propriedades físicas de heteroestruturas baseadas em materiais bidimensionais (2D) devido às suas propriedades ópticas, eletrônicas, mecânicas e magnéticas. Recentemente, foi também demonstrado que materiais ferromagnéticos bidimensionais vdW são sistemas promissores para uma nova geração de dispositivos "spintrônicos". Neste projeto, propomos investigar o efeito ângulo de empilhamento de bicamadas e do campo elétrico em excitons de interface em heteroestruturas 2Ds tais como hBN/WS2/MoSe2/hBN e (ii) investigar o efeito do campo elétrico e da dopagem nas propriedades ópticas, de vale e magnéticas de heteroestruturas TMD VdW com materiais magnéticos 2D como FePS3, MnPSe3, CrSBr e CrPS4. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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Publicações científicas (4)
(As publicações científicas contidas nesta página são originárias da Web of Science ou da SciELO, cujos autores mencionaram números dos processos FAPESP concedidos a Pesquisadores Responsáveis e Beneficiários, sejam ou não autores das publicações. Sua coleta é automática e realizada diretamente naquelas bases bibliométricas)
DE BRITO, CAIQUE SERATI; FARIA JUNIOR, PAULO E.; GHIASI, TALIEH S.; INGLA-AYNES, JOSEP; RABAHI, CESAR RICARDO; CAVALINI, CAMILA; DIRNBERGER, FLORIAN; MANAS-VALERO, SAMUEL; WATANABE, KENJI; TANIGUCHI, TAKASHI; et al. . Nano Letters, v. 23, n. 23, p. 9-pg., . (22/08329-0, 22/00419-0, 23/01313-4)
BEER, ANDREAS; ZOLLNER, KLAUS; SERATI DE BRITO, CAIQUE; FARIA JUNIOR, PAULO E.; PARZEFALL, PHILIPP; GHIASI, TALIEH S.; INGLA-AYNES, JOSEP; MANAS-VALERO, SAMUEL; BOIX-CONSTANT, CARLA; WATANABE, KENJI; et al. . ACS NANO, v. 18, n. 45, p. 11-pg., . (22/00419-0, 22/08329-0, 22/10340-2, 23/01313-4)
DE OLIVEIRA, RAPHAELA; GOBATO, YARA GALVAO; DE OLIVEIRA, RONEI C.; DE TOLEDO, JOSE R.; TEIXEIRA, VERONICA C.; MALACHIAS, ANGELO; RABAHI, CESAR R.; HSU, CHUNWEI; DE OLIVEIRA, ADILSON J. A.; VAN DER ZANT, HERRE S. J.; et al. . APPLIED CLAY SCIENCE, v. 278, p. 9-pg., . (24/00989-7, 22/08329-0, 22/00419-0, 23/01313-4, 23/11265-7, 21/10293-1)
BARCELOS, INGRID D.; DE OLIVEIRA, RAPHAELA; SCHLEDER, GABRIEL R.; MATOS, MATHEUS J. S.; LONGUINHOS, RAPHAEL; RIBEIRO-SOARES, JENAINA; BARBOZA, ANA PAULA M.; PRADO, MARIANA C.; PINTO, ELISANGELA S.; GOBATO, YARA GALVAO; et al. . Journal of Applied Physics, v. 134, n. 9, p. 17-pg., . (22/00419-0, 22/08329-0)