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Heteroestruturas de Van der Waals para spintrônica

Processo: 22/00419-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de agosto de 2022 - 31 de julho de 2023
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Convênio/Acordo: Delft University of Technology
Proposta de Mobilidade: SPRINT - Projetos de pesquisa - Mobilidade
Pesquisador responsável:Yara Galvão Gobato
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:19/23488-5 - Dispositivos optoeletrônicos baseados em semicondutores bidimensionais, AP.R
Assunto(s):Spintrônica  Fotoluminescência  Materiais bidimensionais  Semicondutores  Propriedades magneto-ópticas 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:dispositivos 2Ds | fotoluminescencia | magnetos 2Ds | semicondutores 2Ds | Spintrônica | propriedades óticas e de transporte em materiais bidimensionais (2Ds)

Resumo

Recentemente, tem havido um interesse crescente nas propriedades físicas de heteroestruturas baseadas em materiais bidimensionais (2D) devido às suas propriedades ópticas, eletrônicas, mecânicas e magnéticas. Recentemente, foi também demonstrado que materiais ferromagnéticos bidimensionais vdW são sistemas promissores para uma nova geração de dispositivos "spintrônicos". Neste projeto, propomos investigar o efeito ângulo de empilhamento de bicamadas e do campo elétrico em excitons de interface em heteroestruturas 2Ds tais como hBN/WS2/MoSe2/hBN e (ii) investigar o efeito do campo elétrico e da dopagem nas propriedades ópticas, de vale e magnéticas de heteroestruturas TMD VdW com materiais magnéticos 2D como FePS3, MnPSe3, CrSBr e CrPS4. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
BARCELOS, INGRID D.; DE OLIVEIRA, RAPHAELA; SCHLEDER, GABRIEL R.; MATOS, MATHEUS J. S.; LONGUINHOS, RAPHAEL; RIBEIRO-SOARES, JENAINA; BARBOZA, ANA PAULA M.; PRADO, MARIANA C.; PINTO, ELISANGELA S.; GOBATO, YARA GALVAO; et al. Phyllosilicates as earth-abundant layered materials for electronics and optoelectronics: Prospects and challenges in their ultrathin limit. Journal of Applied Physics, v. 134, n. 9, p. 17-pg., . (22/00419-0, 22/08329-0)

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