Construção de um microscópio de tunelamento no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) da Universidade de São Paulo (USP)

• Processo: 93/04931-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1994
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1995
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alain André Quivy
• Beneficiário: Alain André Quivy
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Tunelamento quântico Heteroestruturas Semicondutores Epitaxia por feixe molecular Propriedades eletrônicas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Efeito Tunel | Hetroestruturas Semicondutoras | Microscopio De Tunelamento | Superficie

Resumo

Nós estamos querendo construir um microscópio de tunelamento (STM) para estudar heteroestruturas semicondutoras de compostos III-V crescidas na nossa máquina de epitaxia por feixe molecular (MBE). O STM é sem dúvida alguma um aparelho único para a análise tanto de superfícies quanto de propriedades elétricas locais. Como microscópio, ele possui uma resolução lateral de 3A e vertical de 0.01A. Como aparelho de espectroscopia, ele representa uma sonda local de alta precisão devido à natureza eletrônica e à pequena dimensão do feixe túnel. Estudaremos com ele a incorporação de dopantes na rede cristalina e sua influência sobre as propriedades eletrônicas locais do material. Os fenômenos físicos e químicos envolvidos na interface entre duas ligas de composições diferentes serão também investigados. Outros grupos de pesquisa estão muito interessados na construção de um STM funcionando no vácuo e no hélio líquido. (AU)