Caracterização elétrica de camadas epitaxiais e heteroestruturas de compostos semicondutores IV-VI

• Processo: 94/01798-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1994
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 1995
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Eduardo Abramof
• Beneficiário: Eduardo Abramof
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Heteroestruturas Efeito Hall quântico Epitaxia por feixe molecular Propriedades de transporte
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Compostos Iv-Vi | Efeito Hall | Resistividade | Semicondutores

Resumo

O objetivo deste projeto é a implementação de um sistema para medidas de Efeito Hall dependente com a temperatura completamente automatizado. A resistividade, concentração de portadores e mobilidade Hall de camadas epitaxiais de compostos semicondutores IV-VI crescidos por "Hot Wall Epitaxy" - HWE e "Molecular Beam Epitaxy" - MBE serão determinadas. As propriedades de transporte nestes materiais de "gap" estreito serão determinadas através das medidas das propriedades elétricas em função da temperatura. Este sistema de medidas de efeito Hall a ser implementado poderá servir para a caracterização de diversos materiais semicondutores apresentando baixa ou alta resistividade. (AU)