Reposição emergencial de material de consumo para o sistema de epitaxia por feixe molecular do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores da USP

• Processo: 96/06498-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 1996
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 1999
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alain André Quivy
• Beneficiário: Alain André Quivy
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Feixes Arsenieto de gálio Heteroestruturas Semicondutores Manutenção de equipamento Recursos para a pesquisa Infraestrutura Equipamentos e provisões
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento | Epitaxia | Gaas | Heteroestruturas Semicondutora | Mbe

Resumo

Em dezembro de 1996, precisaremos abrir nosso sistema de crescimento por feixe molecular para trocarmos alguns componentes importantes e recarregarmos todas as células de efusão. Neste projeto, estamos solicitando, em caráter emergencial, as peças de reposição que estão faltando e os materiais de crescimento necessários. Pretendemos, num mínimo de tempo, trocar todos os componentes defeituosos de nosso sistema e recarregar as células, de tal forma a estarmos em condições, o mais rapidamente possível, de continuarmos a produção de heteroestruturas semicondutoras de compostos HIV de excelente qualidade para a comunidade científica. (AU)