Caracterização elétrica, simulação e modelamento de transistores SOI-MOSFET

• Processo: 96/11993-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de março de 1998
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Município da Instituição Sede: São Paulo
• Assunto(s): Transistores Equipamentos de instrumentação elétrica Simulação (aprendizagem) Efeitos da temperatura
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Eletrica | Modelamento | Mosfet | Simulacao | Soi | Temperatura

Resumo

Este projeto tem como finalidade dar suporte a 2 dissertações de mestrado e 3 teses de doutorado que necessitam de alguns equipamentos e programas de Simulação para concluírem seus trabalhos de caracterização elétrica e simulação de transistores de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor implementado em lâminas de silício sobre isolante (SOI-MOSFET). Objetiva-se neste projeto caracterizar eletricamente e modelar fisicamente transistores SOI-MOSFET em temperatura ambiente, baixa temperatura (77K) e altas temperaturas com relação aos parâmetros elétricos principais. Para o auxílio do desenvolvimento de novos modelos analíticos serão utilizados os seguintes simuladores: simulador bidimensional de dispositivos MEDICI, simulador tridimensional de dispositivos DAVINCI e simulador bidimensional de processos TSUPREM-4. Os resultados obtidos analiticamente e por simulação serão comparados com os resultados da caracterização elétrica dos dispositivos. (AU)