Aplicações e desenvolvimentos da difração de raios-X em semicondutores

• Processo: 97/13757-8
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2000
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Sérgio Luiz Morelhão
• Beneficiário: Sérgio Luiz Morelhão
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Difração por raios X Semicondutores Crescimento epitaxial Equipamentos e provisões Aquisição de equipamentos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Difracao Multipla | Difratometria De Duplo Cristal | Estruturas Epitaxias | Interfaces | Mapeamento De Espaco Recipro | Superficies Semicondutoras

Resumo

Neste projeto de pesquisa está sendo solicitado, na categoria Auxílio à Pesquisa, fomento para uni goniômetro destinado a experimentas de Difração de Raios X em Semicondutores. Isto no Laboratório de Cristalografia do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (USP). Esse equipamento permitirá dar continuidade a linha de pesquisa voltada ao desenvolvimento, fundamentação e aplicação de técnicas não convencionais, derivadas do fenômeno da dilatação múltipla de raios X. Muito além de ser uma mera curiosidade de laboratório, a investigação desse fenômeno tem gerado trabalhos originais e importantes [1-6]*, relacionados ao estudo de superfícies e interfaces semicondutoras. Tal equipamento também auxiliará outros grupos e laboratórios do IFUSP, por exemplo o Laboratório de M.B.F. com o qual já existe uma colaboração. Em análise de semicondutoras e estruturas epitaxiais. Nesses casos, técnicas de alta resolução, como difratômetria de duplo cristal (DCD) e mapeamento do espaço recíproco (RSM). Serão utilizadas. Dentre as primeiras aplicações do equipamento estão: otimização de homoepitaxia de GaAs/GaAs, análise de epitaxias simples de novos materiais (c-CGaN). Caracterização de estruturas epitaxiais complexas (super-redes), controle do acabamento de superfícies semiconduloras, análise de silício poroso, visualização da conformação de blocos na superfície de cristais mosaicos etc. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

MORELHÃO‚ S.L.; KYCIA‚ S.. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction. Physical Review Letters, v. 89, n. 1, p. 15501, 2002. (97/13757-8)