Estudos do padrao de difracao de amostras semicondutoras de compostos iii-v crescidas pela tecnica de epitaxia por feixe molecular.

• Processo: 98/14489-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1999
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alain André Quivy
• Beneficiário: Alain André Quivy
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Pontos quânticos Superfícies Difração
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Camara Ccd | Difracao | Mbe | Pontos Quanticos | Rheed | Superficie

Resumo

Neste projeto, estamos solicitando um sistema de análise do padrão de difração gerado por nosso equipamento RHEED (reflection high-energy electron diffraction). Este sistema é baseado numa câmara CCD e num programa sofisticado de aquisição e tratamento de imagens dedicado exclusivamente para o uso em sistema MBE. O equipamento RHEED é sem dúvida alguma a ferramenta mais importante para o estudo in situ do crescimento epitaxial, e este novo sistema de análise possibilitará o estudo dos vários padrões de difração encontrados em função das condições de crescimentos assim como a determinação dos mecanismos de formação de pontos quânticos de InAs auto organizados e a otimização de suas propriedades em geral. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, v. 81, n. 15, p. 2863-2865, Oct. 2002. (98/14489-0, 97/07974-6, 98/12779-0)