Plataforma de integração óptoeletrônica embasada em crescimento epitaxial seletivo...
Otimizacao dos parametros de crescimento de camadas de inxga1-xas para obtencao de...
Crescimento epitaxial por feixe molecular de heteroestruturas semicondutoras de co...
Desenvolvimento De Transistores Bipolares De Heterojunção (HBT) e Transistores MOS...
Dmitri Lubyshev | Institute Semiconductor Physics - União Soviética
Caracterizacao por tecnicas spm de pontos quanticos de ingaas crescidos pela tecni...
Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados...