Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de In IND. X Ga IND. 1-X acrescidas sobre substratos de GaAs (001).

Autor(es)

Sandro Martini

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
• Data de defesa: 2002-04-30

Membros da banca

Alain Andre Quivy; Marcia Carvalho de Abreu Fantini; Armando Corbani Ferraz; Wagner Nunes Rodrigues; Patrícia Lustoza de Souza

• Orientador: Alain Andre Quivy

Resumo

Neste trabalho, estudamos o crescimento epitaxial por feixe molecular assim como as propriedades ópticas e estruturais de camadas de InGaAs depositadas sobre substratos de GaAs(001) com diferentes ângulos e direções de corte. Um ênfase foi dada à investigação da segregação dos átomos de Índio que modifica consideravelmente o perfil de potencial das heteroestruturas e influencia as características dos dispositivos contendo este tipo de camadas. Um novo método experimental baseado em medidas de difração de elétrons de alta energia (RHEED) possibilitou a determinação in situ e em tempo real do coeficiente de segregação dos átomos de Índio e, conseqüentemente, do perfil de composição das camadas de InGaAs. Medidas de raios X e de fotoluminescência em baixa temperatura foram realizadas em amostras de poços quânticos de InGaAs e confirmaram, a posteriori, os resultados obtidos pela técnica RHEED. Foi também demonstrado que o uso de substratos desorientados podia reduzir levemente o efeito de segregação e melhorar as propriedades ópticas das camadas em baixa temperatura. (AU)

• Processo FAPESP: 97/07974-6 - Estudo do crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas de ingaas sobre substratos desorientados.
• Beneficiário: Sandro Martini
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado