Propriedades eletronicas e estruturais de defeitos profundos em materiais semicondutores.

• Processo: 99/04855-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1999
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Lucy Vitoria Credidio Assali
• Beneficiário: Lucy Vitoria Credidio Assali
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Iodeto de mercúrio Impurezas Metais de transição Carbeto de silício Silício Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Arseneto De Galio | Carbeto De Silicio | Impurezas | Iodeto De Mercurio | Metal De Transicao | Silicio

Resumo

Neste trabalho estamos interessados em descrever teoricamente propriedades eletrônicas, estruturais e óticas de impurezas relacionadas com metais de transição 3d e Er em Si, defeitos relacionados a metais de transição 3d em 3C-SiC e GaAs, assim como estudar cristais semicondutores cujos átomos constituintes apresentam valores de Z (número atômico) grandes, tais como Hgl2 e HgBr2, entendendo suas propriedades mecânicas e suas relações com defeitos intersticiais e vacâncias. Utilizaremos o modelo de super-célula e o método de cálculo de faixas FPLAPW (Full Potential Linearized Augmented Plane Wave). (AU)