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Método para induzir, controlar e aumentar a criação de centros de defeitos associados a fotosensitividade e geração do segundo harmônico em preformas de SiO2:GeO2 fabricadas pela técnica de deposição axial em fase vapor (VAD)

Processo: 04/03151-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Programa de Apoio à Propriedade Intelectual (PAPI/Nuplitec)
Data de Início da vigência: 01 de julho de 2004
Data de Término da vigência: 30 de junho de 2006
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Raul Fernando Cuevas Rojas
Beneficiário:Raul Fernando Cuevas Rojas
Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Mecânica (FEM). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado à bolsa:00/15035-4 - Estudo da formação de defeitos relacionados com a não-linearidade de segunda ordem em preformas vítreas de SiO2:GeO2 fabricadas pela técnica de deposição em fase de vapor - VAD, BP.PD
Assunto(s):Deposição axial na fase vapor  Óptica  Sílica vítrea  Germânio  Patentes 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Centro De Defeitos | Fotosensitividade | Optica Linear | Processo Vad | Silica Gemania

Resumo

A presente invenção está relacionada com o desenvolvimento de novo processo de preparação de vidros de SiO2:GeO2 (sílica - germânia) pela técnica de deposição axial em fase vapor (VAD), para intensificar a resposta não-linear do material. O processo é baseado no controle dos centros de defeitos que são associados às propriedades eletro-ópticas, tais como a fotosensitividade e a geração do segundo harmônico, através dos parâmetros do processo de preparação de preformas vítreas de SiO2:GeO2. Desenvolveram-se duas fases do processo para induzir, controlar e aumentar a formação destes defeitos e com isto obter um material óptico baseado no vidro SiO2:GeO2 no qual seu comportamento não linear pode ser controlado a partir do conteúdo dos centros de defeitos introduzidos no vidro através dos parâmetros usados durante a preparação do material, reduzindo-se ao mínimo o número de passos no processo de síntese do vidro SiO2:GeO2 com alto desempenho na geração de centros de defeitos responsáveis pelas propriedades ópticas não-lineares de segunda ordem. (AU)

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PROCESSO PARA INDUZIR, AUMENTAR E CONTROLAR A CRIAÇÃO DE CENTROS DE DEFEITOS ASSOCIADOS À FOTOSENSITIVIDADE E GERAÇÃO DO SEGUNDO HARMÔNICO EM PREFORMAS DE SiO2:GeO2 FABRICADAS PELA TÉCNICA DE DEPOSIÇÃO AXIAL EM FASE VAPOR (VAD) PI0404965-9 - Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) ; Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) . Carlos Kenichi Suzuki ; Raul Fernando Cuevas Rojas - 16 de novembro de 2004