PROCESSO PARA INDUZIR, AUMENTAR E CONTROLAR A CRIAÇÃO DE CENTROS DE DEFEITOS ASSOCIADOS À FOTOSENSITIVIDADE E GERAÇÃO DO SEGUNDO HARMÔNICO EM PREFORMAS DE SiO2:GeO2 FABRICADAS PELA TÉCNICA DE DEPOSIÇÃO AXIAL EM FASE VAPOR (VAD)

"PROCESSO PARA INDUZIR, AUMENTAR E CONTROLAR A CRIAÇÃO DE CENTROS DE DEFEITOS ASSOCIADOS À FOTOSENSITIVIDADE E GERAÇÃO DO SEGUNDO HARMÔNICO EM PREFORM-AS DE SiO~ 2~:GeO~ 2~ FABRICADAS PELA TÉCNICA DE DEPOSIÇÃO AXIAL EM FASE VAPOR (VAD)". A presente invenção esta relacionada com o desenvolvimento de novo processo de preparação de vidros de SiO~ 2~:GeO~ 2~ (sílica - germânia) pela técnica de deposição axial em fase vapor (VAD), para intensificar a resposta não-linear do material. O processo é baseado no controle dos centros de defeitos que são associados às propriedades eletro - ópticas, tais como a fotosensitividade e a geraçao do segundo harmônico, através dos parâmetros do processo de preparação de preformas vítreas de SiO~ 2~:GeO~ 2~. Desenvolveram-se duas fases do processo para induzir, controlar e aumentar a formação destes defeitos e com isto obter um material óptico baseado no vidro de SiO~ 2~ :GeO~ 2~ no qual seu comportamento não linear pode ser controlado a partir do conteúdo dos centros de defeitos introduzidos no vidro através dos parâmetros usados durante a preparação do material, reduzindo-se ao mínimo o número de passos no processo de síntese do vidro de SiO~ 2~ :GeO~ 2~ com alto desempenho na geração de centros de defeitos responsáveis pelas propriedades ópticas não-lineares de segunda ordem.