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PROCESSO PARA INDUZIR, AUMENTAR E CONTROLAR A CRIAÇÃO DE CENTROS DE DEFEITOS ASSOCIADOS À FOTOSENSITIVIDADE E GERAÇÃO DO SEGUNDO HARMÔNICO EM PREFORMAS DE SiO2:GeO2 FABRICADAS PELA TÉCNICA DE DEPOSIÇÃO AXIAL EM FASE VAPOR (VAD)
| Document type: | Patente |
| Inventor(s): | Carlos Kenichi Suzuki; Raul Fernando Cuevas Rojas |
| Applicant: | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) ; Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) |
| Deposit date: | November 2004, 16 |
| INPI register: | |
| IPC: | C03B 37/018 C23C 16/40 C23C 16/453 C23C 16/52 |
| Grantee: | Raul Fernando Cuevas Rojas |
| Principal Investigator: | Carlos Kenichi Suzuki |
| Institution: | Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Mecânica (FEM) |
| Support Opportunities: | Scholarships in Brazil - Post-Doctoral |
| Grantee: | Raul Fernando Cuevas Rojas |
| Principal Investigator: | Raul Fernando Cuevas Rojas |
| Institution: | Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Mecânica (FEM) |
| Support Opportunities: | Research Grants - Support for Intellectual Property Rights and Licensing (PAPI/Nuplitec) |