Caracterização óptica de heteroestruturas semicondutoras crescidas por CBE

• Processo: 96/11813-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1997
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Bras Barreto de Oliveira
• Beneficiário: Jose Bras Barreto de Oliveira
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Bolsa(s) vinculada(s): 00/00713-7 - Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaInP, BP.MS
• Assunto(s): Poços quânticos Propriedades ópticas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Epitaxial | Dispositivos Semicondutores | Interfaces | Pocos Quanticos | Propriedades Opticas
• Publicação FAPESP: https://media.fapesp.br/bv/uploads/pdfs/Investindo...pesquisadores_258_198_198.pdf

Resumo

O projeto consiste em montar o laboratório de medidas ópticas, com ênfase em fotoluminescência (PL), e dedicá-lo à caracterização de interfaces de heteroestruturas semicondutoras III-V, crescidas por CBE. As amostras a serem analisadas são múltiplos poços quânticos fabricados com os sistemas InGaAs/GaAs, InGaAs/lnP e InGaP/GaAS. Os parâmetros de crescimento serão variados e controlados sistematicamente, em cada conjunto de amostras. As propriedades das interfaces serão analisadas através da análise da forma de linha da PL, energias das emissões, extrínsecas no poço, etc. Os resultados serão comparados com os obtidos por outras técnicas e relacionados com os procedimentos realizados e então usados para orientar crescimento de novos conjuntos de amostras. (AU)