Askhat Bakarov | Institute of Semiconductors Physics/Russian Academy - Rússia

• Processo: 05/02895-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 15 de fevereiro de 2006
• Data de Término da vigência: 14 de maio de 2006
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gennady Gusev
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Pesquisador visitante: Askhat Bakarov
• Instituição do Pesquisador Visitante: Russian Academy of Sciences (RAS), Rússia
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Spintrônica Desenvolvimento de novos materiais Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Semicondutores | Spintronica | Semicondutores

Resumo

A visita do Dr. Askhat Bakarov será muito útil para continuarmos uma colaboração a longo prazo entre Novosibirsk e os diferentes grupos dedicados ao estudo dos sistemas nanostruturados no Brasil. Entre estes grupos está o Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (LNMS-IFUSP), também grupos teóricos e experimentais da Universidade Federal de São Carlos, do Instituto de Física de São Carlos-USP e muitos outros. Como membro do LNMS do IFUSP, tenho desenvolvido vários projetos importantes, entre os quais o internacional USP-COFECUB. O objetivo geral do projeto é estudar e otimizar o crescimento de nanoestruturas semicondutoras para aplicações em spintrônica. Estamos propondo pesquisar esses efeitos em poços quânticos de Aly Gay-1As/AlxGax-1As. Nossa pesquisa aponta na direção de uma nova geração de dispositivos eletrônicos baseados no spin. A discussão dos problemas físicos e tecnológicos relacionados à fabricação de tais sistemas no IFUSP e nos outros laboratórios e as medidas que serão realizadas no LNMS-IFUSP, poderão acelerar o desenvolvimento da spintrônica no Brasil. (AU)