Resumo
O método dos precursores poliméricos será utilizado para sintetizar nanopartículas de óxidos semicondutores (SnO2, In2O3, ZnO) usadas para fabricar alvos empregados na deposição de filmes finos por RF Magnetron Sputtering. Serão estudadas temperaturas de deposição, pressões, gases (N2, Ar, O2) e potências de RF. Os filmes finos de óxidos semicondutores serão depositados em camadas porosas. As nanopartículas e os filmes finos serão caracterizados por microscopia de força atômica (AFM), microscopia eletrônica de varredura (SEM), difração de Raios-x (XRD), microscopia eletrônica de transmissão (TEM) e medidas de condutividade elétrica pela técnica de quatro pontos. O objetivo final do trabalho é a obtenção de filmes com características adequadas (resistividade, porosidade, tamanho de grão, estado de oxidação, composição, grau de cristalinidade) para aplicações em sensores resistivos para detecção de gases. (AU)
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