Ronaldo mota | Univ federal santa maria/ufsm - Brasil

• Processo: 96/08828-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Brasil
• Data de Início da vigência: 06 de janeiro de 1997
• Data de Término da vigência: 05 de fevereiro de 1997
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Adalberto Fazzio
• Pesquisador visitante: Ronaldo Mota
• Instituição do Pesquisador Visitante: Universidade Federal de Santa Maria (UFSM), Brasil
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Óxidos Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos | Estrutura Eletronica | Nitretos | Oxidos | Semicondutores

Resumo

(i) Estudaremos defeitos nativos em nitratos (BN, GaN, AlN e InN) na forma cúbica. Esse projeto é uma continuação de trabalhos que venho realizando com o Prof. Mota. (ii) Estudo da transição, Metal-Isolante em óxidos LnNiO3 em cooperação com grupo experimental do nosso departamento. (AU)