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Ronaldo mota | Univ federal santa maria/ufsm - Brasil

Processo: 96/08828-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Brasil
Data de Início da vigência: 06 de janeiro de 1997
Data de Término da vigência: 05 de fevereiro de 1997
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adalberto Fazzio
Beneficiário:Adalberto Fazzio
Pesquisador visitante: Ronaldo Mota
Instituição do Pesquisador Visitante: Universidade Federal de Santa Maria (UFSM), Brasil
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Óxidos  Semicondutores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Defeitos | Estrutura Eletronica | Nitretos | Oxidos | Semicondutores

Resumo

(i) Estudaremos defeitos nativos em nitratos (BN, GaN, AlN e InN) na forma cúbica. Esse projeto é uma continuação de trabalhos que venho realizando com o Prof. Mota. (ii) Estudo da transição, Metal-Isolante em óxidos LnNiO3 em cooperação com grupo experimental do nosso departamento. (AU)

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